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201210461158.X具有疏水层绝缘子的制造方法

  • 专利类型：
    发明专利
  • 发  明  人：
    郑宪军 张小刚 常久龙 朱黎伟 梁涛 赵素屏
  • 申  请  人：
    河南省电力公司安阳供电公司
  • 地        址：
    100017 北京市西城区西长安街86 号
  • 状        态：
    公开
  • 文件大小：
    284 KB
  • 公  布  号：
    CN 103021597 A
  • 公  布  日：
    2013.04.03
  • 申  请  号：
    201210461158.X
  • 申  请  日：
    2012.11.16
  • 代理机构：
    安阳市智浩专利代理事务所41116
  • 代  理  人：
    王晖
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专利介绍


本发明涉及一种具有疏水层绝缘子的制造方法，属于输变电器材领域。该方法采用水解法制备纳米二氧化硅，对纳米二氧化硅进行低能化处理理后对其在特定的有机溶剂中处理，制得纳米二氧化硅分散液，将清洗处理后的绝缘子基体置于分散液中得具有疏水层的绝缘子，本方法在绝缘子表面形成的本疏水层具有较高的疏水性能，用于绝缘子表面能够较好的实现绝缘子防覆冰的要求。

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